العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLF578XR,112
BLF578XR,112
BLF578XR,112
رقم القطعة:
BLF578XR,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19744 Pieces
ورقة البيانات:
BLF578XR,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF578XR,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF578XR,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLF578XR,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:110V
نوع الترانزستور:LDMOS (Dual), Common Source
تجار الأجهزة حزمة:SOT539A
سلسلة:-
مخرج قوي:1400W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:SOT539A
اسماء اخرى:568-12823
934065984112
BLF578XR,112-ND
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
الصانع الجزء رقم:BLF578XR,112
ربح:23.5dB
تردد:225MHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 40mA 225MHz 23.5dB 1400W SOT539A
وصف:RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A
التصويت الحالي:-
الحالي - اختبار:40mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLF578XR,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MRF5S9101MR1 Image MRF5S9101MR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 960MHZ TO2704 تحقيق
BLF571,112 Image BLF571,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 27.5DB SOT467C تحقيق
BLF578,112 Image BLF578,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A تحقيق
BLF574XRS,112 Image BLF574XRS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B تحقيق
BLF573S,112 Image BLF573S,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B تحقيق
BF2040RE6814HTSA1 Image BF2040RE6814HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R تحقيق
BLF573,112 Image BLF573,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A تحقيق
MRF9045GNR1 NXP USA Inc. FET RF TO-270-2 GW تحقيق
BLF574,112 Image BLF574,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A تحقيق
BLF578XRS,112 Image BLF578XRS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B تحقيق
MRF8S9202NR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 920MHZ OM780-2 تحقيق
BLF574XR,112 Image BLF574XR,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A تحقيق
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
BLF6G20-230P NXP USA Inc. IC BASESTATION FINAL SOT502A تحقيق
BLL8H1214L-250U Image BLL8H1214L-250U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A تحقيق
MRFG35005NT1 Image MRFG35005NT1 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD تحقيق
BLA8G1011LS-300GU Image BLA8G1011LS-300GU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E تحقيق

Latest الأخبار