العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLF647,112
BLF647,112
BLF647,112
رقم القطعة:
BLF647,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13067 Pieces
ورقة البيانات:
BLF647,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF647,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF647,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLF647,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:28V
الجهد - تقييمه:65V
نوع الترانزستور:LDMOS (Dual), Common Source
تجار الأجهزة حزمة:LDMOST
سلسلة:-
مخرج قوي:120W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:SOT-540A
اسماء اخرى:568-2419
934056498112
BLF647
BLF647-ND
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:BLF647,112
ربح:14.5dB
تردد:600MHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 600MHz 14.5dB 120W LDMOST
وصف:RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A
التصويت الحالي:18A
الحالي - اختبار:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLF647,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BF2030WH6814XTSA1 Image BF2030WH6814XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343 تحقيق
BLF640U Image BLF640U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A تحقيق
BLF644PU Image BLF644PU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A تحقيق
BLF647PSJ Image BLF647PSJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B تحقيق
BLF647P,112 Image BLF647P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A تحقيق
PD57002 Image PD57002 STMicroelectronics FET RF 65V 960MHZ PWRSO-10 تحقيق
MRF9135LR3 Image MRF9135LR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 880MHZ NI-780 تحقيق
BLF647PS,112 Image BLF647PS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B تحقيق
MRFG35005NR5 Image MRFG35005NR5 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 تحقيق
BLC8G24LS-241AVY Image BLC8G24LS-241AVY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 تحقيق
MRF19085LR5 Image MRF19085LR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 تحقيق
BLF10M6LS135U Image BLF10M6LS135U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B تحقيق
BLF4G22LS-130,112 Image BLF4G22LS-130,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B تحقيق
BLF645,112 Image BLF645,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A تحقيق
BLF642,112 Image BLF642,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C تحقيق
BLF8G22LS-160BVX Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B تحقيق
2SK3756(TE12L,F) Image 2SK3756(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH PW-MINI تحقيق

Latest الأخبار