يشترى BLF7G15LS-300P,118 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF7G15LS-300P,118
- رقم القطعة:
- BLF7G15LS-300P,118
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19383 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF7G15LS-300P,118.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF7G15LS-300P,118 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF7G15LS-300P,118 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | CDFM4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 85W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT539B |
| اسماء اخرى: | 568-12774-2 934064635118 BLF7G15LS-300P,118-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BLF7G15LS-300P,118 |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 1.47GHz ~ 1.51GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2.6A 1.47GHz ~ 1.51GHz 18dB 85W CDFM4 |
| وصف: | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B |
| التصويت الحالي: | 45A |
| الحالي - اختبار: | 2.6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF7G15LS-300P,118
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF7G15LS-200,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF7G15LS-200,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF7G22LS-200,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF7G27L-150P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF7G15LS-300P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF7G10LS-250,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF7G10LS-250,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF7G22L-200,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF7G22LS-130,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF7G22LS-130,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF7G27LS-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF7G10L-250,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF7G10L-250,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog