يشترى BR2510W-G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BR2510W-G
- رقم القطعة:
- BR2510W-G
- الصانع:
- Comchip Technology
- وصف:
- BRIDGE DIODE 25A 1000V BR-W
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14658 Pieces
- ورقة البيانات:
- BR2510W-G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BR2510W-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BR2510W-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1000V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 25A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | BR-W |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 4-Square, BR-W |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BR2510W-G |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole BR-W |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | BRIDGE DIODE 25A 1000V BR-W |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 1000V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 25A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBR2510W-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
KBPC2506W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 600V 25A KBPC-W | تحقيق |
 |
KBP02M | Fairchild/ON Semiconductor | IC BRIDGE RECT 1.5A 200V KBPM | تحقيق |
 |
SBMC6 | Semtech Corporation | BRIDGE RECT 1.5A 600V 4SIP | تحقيق |
 |
BR1010SG-G | Comchip Technology | BRIDGE RECTIFIER 10A 1000V BR8 R | تحقيق |
|
BR2510-G | Comchip Technology | BRIDGE DIODE 25A 1000V BR | تحقيق |
 |
MSD30-08 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 3PH 800V 30A SM1 | تحقيق |
 |
VUO27-12NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 28A 1200V SLIM | تحقيق |
 |
CDNBS04-B08200 | Bourns Inc. | DIODE BRIDGE RECTIFIER 200V NBS0 | تحقيق |
|
VBO125-08NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 124A 800V PWS-C | تحقيق |
 |
2KBP005M/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 2A 50V KBPM | تحقيق |
|
CDBHM280L-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 80V 2A MBS-2 | تحقيق |
 |
G3SBA60-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 600V GBU | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog