BR502L-G - Comchip Technology - الثنائيات الصمامات الجسر BR502L-G

BR502L-G

رقم القطعة:: BR502L-G

الصانع:: Comchip Technology

وصف:: RECTIFIER BRIDGE 200V 50A BR-L

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 15256 Pieces

ورقة البيانات:: BR502L-G.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BR502L-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BR502L-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى BR502L-G مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - قمة عكسي (ماكس):	200V
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:	1.1V @ 25A
تكنولوجيا:	Standard
تجار الأجهزة حزمة:	BR-L
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	4-SIP, with Heat Sink
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	BR502L-G
وصف موسع:	Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A Through Hole BR-L
نوع الصمام الثنائي:	Single Phase
وصف:	RECTIFIER BRIDGE 200V 50A BR-L
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:	10µA @ 200V
الحالي - متوسط مصحح (أيو):	50A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBR502L-G

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
GBJ1010	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 1000V 10A GBJ	تحقيق
2KBP005M-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 2A 50V KBPM	تحقيق
GSIB6A60N-M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S	تحقيق
3N258-E4/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE BRIDGE 2A 800V 4SIP	تحقيق
DF208S-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 2.0A 800V DFS	تحقيق
DF1510S-E3/77	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1.5A 1000V 4SMD	تحقيق
GBPC15005W	Diodes Incorporated	RECTIFIER BRIDGE 15A 50V GBPCW	تحقيق
DF1508S-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1.5A 800V 4SMD	تحقيق
KBU3510-G	Comchip Technology	RECT BRIDGE CELL 1000V 35A KBU	تحقيق
KBU6G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 400V 6A KBU	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار