BSC010NE2LSI
BSC010NE2LSI
رقم القطعة:
BSC010NE2LSI
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14147 Pieces
ورقة البيانات:
BSC010NE2LSI.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSC010NE2LSI ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSC010NE2LSI عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSC010NE2LSI مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TDSON-8
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.05 mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta), 96W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
اسماء اخرى:BSC010NE2LSI-ND
BSC010NE2LSIATMA1
SP000854376
درجة حرارة التشغيل:-
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:BSC010NE2LSI
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4200pF @ 12V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:59nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 25V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):25V
وصف:MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:38A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات