BSC052N03S G
BSC052N03S G
رقم القطعة:
BSC052N03S G
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12737 Pieces
ورقة البيانات:
BSC052N03S G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSC052N03S G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSC052N03S G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSC052N03S G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 40µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TDSON-8
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.2 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.8W (Ta), 54W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
اسماء اخرى:BSC052N03SGXT
SP000056192
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:BSC052N03S G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2820pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:22nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 18A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات