يشترى BSC100N03LSGATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSC100N03LSGATMA1
- رقم القطعة:
- BSC100N03LSGATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17934 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSC100N03LSGATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSC100N03LSGATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSC100N03LSGATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TDSON-8 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 10 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerTDFN |
| اسماء اخرى: | BSC100N03LS G BSC100N03LSG BSC100N03LSGINTR BSC100N03LSGINTR-ND BSC100N03LSGXT SP000275117 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSC100N03LSGATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1500pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 13A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 13A (Ta), 44A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSC100N03LSGATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 | تحقيق |
|
BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | تحقيق |
 |
IXTJ6N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247 | تحقيق |
 |
IPP100N06S3L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 | تحقيق |
|
BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | تحقيق |
 |
TPH3205WSBQA | Transphorm | GAN FET 650V 35A TO247 | تحقيق |
 |
PSMN2R0-30YLE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | تحقيق |
 |
NVMFS5C450NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
|
BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON | تحقيق |
 |
IXTA62N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 | تحقيق |
 |
NVB5860NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK | تحقيق |
|
BSC105N10LSFGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | تحقيق |
|
BSC106N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8 | تحقيق |
 |
STS5N15F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 5A 8SO | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog