يشترى BSL806NL6327HTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSL806NL6327HTSA1
- رقم القطعة:
- BSL806NL6327HTSA1
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14048 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSL806NL6327HTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSL806NL6327HTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSL806NL6327HTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 750mV @ 11µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TSOP6-6 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | BSL806N L6327 BSL806N L6327-ND BSL806N L6327TR-ND BSL806NL6327 SP000464844 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSL806NL6327HTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 259pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.7nC @ 2.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.3A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSL806NL6327HTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AON4605 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN | تحقيق |
 |
SP8J5FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | تحقيق |
 |
FDMS3660S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN | تحقيق |
 |
AO8801L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 4.7 8TSSOP | تحقيق |
 |
BSL802SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP | تحقيق |
 |
DMN62D0UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | تحقيق |
 |
QS6K1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 | تحقيق |
 |
BSO215C | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC | تحقيق |
 |
APTC90AM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | تحقيق |
 |
DMN2005DLP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN | تحقيق |
 |
BSC0925NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 | تحقيق |
|
BSL802SNL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 | تحقيق |
|
IRF7907PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog