يشترى BSM180D12P3C007 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSM180D12P3C007
- رقم القطعة:
- BSM180D12P3C007
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- SIC POWER MODULE
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15134 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSM180D12P3C007.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSM180D12P3C007 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSM180D12P3C007 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.6V @ 50mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | Module |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| السلطة - ماكس: | 880W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Module |
| اسماء اخرى: | Q9597863 |
| درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSM180D12P3C007 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 900pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 880W Surface Mount Module |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | SIC POWER MODULE |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSM180D12P3C007
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SP8M3TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
FDW2507NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
BSS84AKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 | تحقيق |
 |
SI1016CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | تحقيق |
 |
BSM180D12P2C101 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | تحقيق |
 |
IRF7324PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
AO8803 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 12V 7A 8TSSOP | تحقيق |
 |
BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | تحقيق |
|
SI1033X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F | تحقيق |
 |
APTC90H12T2G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | تحقيق |
 |
SI5905DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 | تحقيق |
 |
EFC4619R-TR | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH EFCP | تحقيق |
 |
SH8K22TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog