يشترى BSP135 E6327 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSP135 E6327
- رقم القطعة:
- BSP135 E6327
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12314 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSP135 E6327.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSP135 E6327 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSP135 E6327 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 94µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT223-4 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | BSP135E6327T SP000011103 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSP135 E6327 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 146pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.9nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 120mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSP135 E6327
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSP135L6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | تحقيق |
 |
FDI8441_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB | تحقيق |
|
BSP135H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 | تحقيق |
 |
BSP135H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | تحقيق |
 |
EPC8010ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
BUK76150-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 11A D2PAK | تحقيق |
|
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | تحقيق |
|
BSP135L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | تحقيق |
 |
AOT2910L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 100V 6A TO220 | تحقيق |
|
BSP135L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | تحقيق |
|
BSP135 E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | تحقيق |
 |
IRF6217TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
TPCA8057-H,LQ(M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 42A 8SOP-ADV | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog