يشترى BSR92PL6327HTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSR92PL6327HTSA1
- رقم القطعة:
- BSR92PL6327HTSA1
- وصف:
- MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18679 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSR92PL6327HTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSR92PL6327HTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSR92PL6327HTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 130µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SC-59 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11 Ohm @ 140mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | BSR92P L6327 BSR92P L6327-ND SP000265408 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSR92PL6327HTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 109pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.8nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 250V 140mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC-59 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 140mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSR92PL6327HTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFI4228PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP | تحقيق |
 |
STD78N75F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 75V 70A DPAK | تحقيق |
 |
STF15N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP | تحقيق |
 |
IRFPC50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC | تحقيق |
 |
IRF720L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262 | تحقيق |
 |
BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 | تحقيق |
 |
IXFX150N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 150A TO-247 | تحقيق |
 |
CSD17382F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR | تحقيق |
 |
PMZ950UPELYL | Nexperia USA Inc. | 20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET | تحقيق |
|
IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | تحقيق |
 |
IXFK170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 | تحقيق |
 |
IRFR9310PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK | تحقيق |
 |
SUM40N15-38-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTX4N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
|
IRFR420ATRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK | تحقيق |
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | تحقيق |
|
STB50NF25 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS11N50ATRLP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | تحقيق |
 |
IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | تحقيق |
|
IRLR3105TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog