يشترى BSS119 E7796 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS119 E7796
- رقم القطعة:
- BSS119 E7796
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18132 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS119 E7796.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS119 E7796 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS119 E7796 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3V @ 50µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT23-3 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | BSS119E7796T SP000011162 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSS119 E7796 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 78pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.5nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS119 E7796
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
 |
AON6368P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 25A DFN | تحقيق |
|
BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | تحقيق |
 |
IRF7476 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BSC025N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | تحقيق |
|
BSS119 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS119 E7978 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
 |
SI5499DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 | تحقيق |
|
BSS119E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | تحقيق |
 |
RJK03M1DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 50A WPAK | تحقيق |
 |
NVTFS4824NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog