يشترى BSS123WQ-7-F مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS123WQ-7-F
- رقم القطعة:
- BSS123WQ-7-F
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14806 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS123WQ-7-F.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS123WQ-7-F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS123WQ-7-F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-323 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 200mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | BSS123WQ-7-FDITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSS123WQ-7-F |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 60pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS123WQ-7-F
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS123-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | تحقيق |
|
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | تحقيق |
|
BSS123ATA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | تحقيق |
|
BSS123TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | تحقيق |
|
BSS123ATC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | تحقيق |
 |
DMP1022UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN | تحقيق |
 |
BSS123W-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 | تحقيق |
 |
GP2M013A050F | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 13A TO220F | تحقيق |
|
BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | تحقيق |
|
BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 | تحقيق |
|
BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3 | تحقيق |
|
BSS127S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog