يشترى BSS225H6327FTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS225H6327FTSA1
- رقم القطعة:
- BSS225H6327FTSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19438 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS225H6327FTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS225H6327FTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS225H6327FTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3V @ 94µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT89 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 45 Ohm @ 90mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| اسماء اخرى: | BSS225H6327FTSA1TR SP001047644 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSS225H6327FTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 131pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 90mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS225H6327FTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SFT1350-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 40V 19A TP | تحقيق |
 |
BSS225H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 | تحقيق |
 |
BSS223PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 | تحقيق |
 |
IPB80N04S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 | تحقيق |
|
BSS225L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | تحقيق |
 |
RQ5E070BNTCL | Rohm Semiconductor | NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET | تحقيق |
 |
SI5471DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 | تحقيق |
 |
SPA20N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 | تحقيق |
 |
IRLR3714ZTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 37A DPAK | تحقيق |
|
BSS223PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 | تحقيق |
|
BSS225 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 | تحقيق |
 |
NTMFS4C50NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 46A SO8FL | تحقيق |
 |
IPA057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog