يشترى BSS7728NH6327XTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS7728NH6327XTSA1
- رقم القطعة:
- BSS7728NH6327XTSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16829 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS7728NH6327XTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS7728NH6327XTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS7728NH6327XTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3V @ 26µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT23-3 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | BSS7728N H6327 BSS7728N H6327-ND BSS7728NH6327 BSS7728NH6327XTSA1TR SP000702640 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSS7728NH6327XTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 56pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.5nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS7728NH6327XTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 | تحقيق |
 |
BSS7728NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS7728N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS7728NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 | تحقيق |
 |
IXFT16N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 16A TO-268 | تحقيق |
 |
RJK5030DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 5A MP3A | تحقيق |
 |
DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606- | تحقيق |
 |
IXTP55N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 55A TO-220 | تحقيق |
 |
PMXB40UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G | تحقيق |
 |
AOB482L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 80V D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog