BSS83,215 - NXP USA Inc. - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف BSS83,215

BSS83,215

رقم القطعة:: BSS83,215

الصانع:: NXP Semiconductors / Freescale

وصف:: MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13173 Pieces

ورقة البيانات:: BSS83,215.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS83,215 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS83,215 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى BSS83,215 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	-
الجهد - تقييمه:	10V
نوع الترانزستور:	N-Channel
تجار الأجهزة حزمة:	SOT-143B
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-253-4, TO-253AA
اسماء اخرى:	568-1659-2 933418060215 BSS83 T/R
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	BSS83,215
ربح:	-
تردد:	-
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel SOT-143B
وصف:	MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B
التصويت الحالي:	50mA
الحالي - اختبار:	-
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لBSS83,215

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
BLF8G10LS-270,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	تحقيق
BLF8G38LS-75VU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B	تحقيق
MRF5S19130HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S	تحقيق
PXAC261202FCV1R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF 2CH 65V 2.61GHZ	تحقيق
BF245A_J35Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 6.5MA TO92	تحقيق
NPT35050AB	M/A-Com Technology Solutions	HEMT N-CH 28V 65W 3300-3800MHZ	تحقيق
MRF8S7235NR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 728MHZ OM780-2	تحقيق
BLF8G27LS-140V,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B	تحقيق
BSS83,235	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 10V 50MA SOT143	تحقيق
AFT21S140W02SR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2	تحقيق
SHF-0289Z	RFMD	FET RF 9V 1.96GHZ SOT-89	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار