يشترى BSS8402DW-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS8402DW-7
- رقم القطعة:
- BSS8402DW-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14615 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS8402DW-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS8402DW-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS8402DW-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-363 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
| السلطة - ماكس: | 200mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | BSS8402DWDITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSS8402DW-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 50pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V, 50V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 115mA, 130mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS8402DW-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS8402DWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V | تحقيق |
 |
2N7002PV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 | تحقيق |
 |
BSS84W-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | تحقيق |
 |
BSS84V-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563 | تحقيق |
|
BSS84DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | تحقيق |
|
BSS8402DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | تحقيق |
 |
BSS84TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | تحقيق |
|
BSS84WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | تحقيق |
|
BSS84TC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT23-3 | تحقيق |
|
BSS84-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | تحقيق |
|
BSS84W-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 | تحقيق |
|
BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | تحقيق |
 |
DMN2041UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN | تحقيق |
|
BSS84-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog