BSZ031NE2LS5ATMA1
BSZ031NE2LS5ATMA1
رقم القطعة:
BSZ031NE2LS5ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 25V 19A 8SON
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16350 Pieces
ورقة البيانات:
BSZ031NE2LS5ATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSZ031NE2LS5ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSZ031NE2LS5ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSZ031NE2LS5ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TSDSON-8-FL
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.1 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.1W (Ta), 30W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
اسماء اخرى:SP001385378
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:BSZ031NE2LS5ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1230pF @ 12V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:18.3nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 25V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):25V
وصف:MOSFET N-CH 25V 19A 8SON
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:19A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات