يشترى BSZ0501NSIATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSZ0501NSIATMA1
- رقم القطعة:
- BSZ0501NSIATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16632 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSZ0501NSIATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSZ0501NSIATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSZ0501NSIATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TSDSON-8-FL |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerTDFN |
| اسماء اخرى: | SP001281638 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSZ0501NSIATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2000pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 33nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 25A 8SON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 25A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSZ0501NSIATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A 8SON | تحقيق |
 |
BSZ050N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
IPP040N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 | تحقيق |
|
BSZ050N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
FCD5N60TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | تحقيق |
|
BSZ0502NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A 8SON | تحقيق |
|
BSZ0506NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON | تحقيق |
|
BSZ0500NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A 8SON | تحقيق |
 |
IXFX520N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247 | تحقيق |
 |
DKI03038 | Sanken | MOSFET N-CH 30V 48A TO-252 | تحقيق |
|
BSZ058N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
STL135N8F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 130A | تحقيق |
|
BSZ058N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
NVGS4111PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog