يشترى BSZ100N06LS3 G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSZ100N06LS3 G
- رقم القطعة:
- BSZ100N06LS3 G
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16092 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.BSZ100N06LS3 G.pdf2.BSZ100N06LS3 G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSZ100N06LS3 G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSZ100N06LS3 G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 23µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TSDSON-8 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 10 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | BSZ100N06LS3G BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GINTR SP000453672 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSZ100N06LS3 G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3500pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 45nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 11A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Ta), 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSZ100N06LS3 G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPU03N60C3BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251 | تحقيق |
 |
IRL3103D2STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK | تحقيق |
 |
BSZ100N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON | تحقيق |
 |
BSZ100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 | تحقيق |
 |
STD5NK60ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK | تحقيق |
|
BSZ105N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 | تحقيق |
|
IRFS9N60ATRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | تحقيق |
 |
FDC642P_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT | تحقيق |
|
BSZ100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
BFL4037-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11A | تحقيق |
 |
PHP110NQ06LT,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
IRFB33N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog