العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > BSZ22DN20NS3 G
BSZ22DN20NS3 G
BSZ22DN20NS3 G
رقم القطعة:
BSZ22DN20NS3 G
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12412 Pieces
ورقة البيانات:
BSZ22DN20NS3 G.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSZ22DN20NS3 G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSZ22DN20NS3 G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSZ22DN20NS3 G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 13µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TSDSON-8
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:225 mOhm @ 3.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):34W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
اسماء اخرى:BSZ22DN20NS3G
BSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GTR
SP000781794
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:BSZ22DN20NS3 G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:430pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:5.6nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBSZ22DN20NS3 G

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFK88N30P Image IXFK88N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 88A TO-264 تحقيق
IXTX24N100 Image IXTX24N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 تحقيق
STP8NM50N Image STP8NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB تحقيق
IXTK160N20 Image IXTK160N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 تحقيق
BSP135H6906XTSA1 Image BSP135H6906XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 تحقيق
STW72N60DM2AG Image STW72N60DM2AG STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 66A تحقيق
SIHG16N50C-E3 Image SIHG16N50C-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC تحقيق
SI1417EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6 تحقيق
BS108,126 Image BS108,126 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 تحقيق
FQA11N90C Image FQA11N90C Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P تحقيق
STW42N65M5 Image STW42N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 33A TO-247 تحقيق
STW12N120K5 Image STW12N120K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 تحقيق
SI1013R-T1-GE3 Image SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A تحقيق
IXFR70N15 Image IXFR70N15 IXYS MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247 تحقيق
NTA4153NT1G Image NTA4153NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 تحقيق
IPI90R1K2C3XKSA1 Image IPI90R1K2C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262 تحقيق
SI5484DU-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET تحقيق
APT42F50B Image APT42F50B Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 42A TO-247 تحقيق
SI5404BDC-T1-GE3 Image SI5404BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 تحقيق
TPH14006NH,L1Q Image TPH14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV تحقيق

Latest الأخبار