BSZ22DN20NS3 G
BSZ22DN20NS3 G
رقم القطعة:
BSZ22DN20NS3 G
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12412 Pieces
ورقة البيانات:
BSZ22DN20NS3 G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSZ22DN20NS3 G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSZ22DN20NS3 G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSZ22DN20NS3 G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 13µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TSDSON-8
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:225 mOhm @ 3.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):34W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
اسماء اخرى:BSZ22DN20NS3G
BSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GTR
SP000781794
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:BSZ22DN20NS3 G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:430pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:5.6nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات