BT169G/DG,126
BT169G/DG,126
رقم القطعة:
BT169G/DG,126
الصانع:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
وصف:
THYRISTOR 600V 0.8A TO-92
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15771 Pieces
ورقة البيانات:
BT169G/DG,126.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BT169G/DG,126 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BT169G/DG,126 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BT169G/DG,126 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - في دولة (فتم) (ماكس):1.7V
الجهد - الدولة معطلة:600V
الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس):800mV
تجار الأجهزة حزمة:TO-92-3
سلسلة:-
نوع SCR:Sensitive Gate
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
اسماء اخرى:1740-1427-1
568-9613-1
568-9613-1-ND
درجة حرارة التشغيل:-
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:BT169G/DG,126
وصف موسع:SCR 600V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3
وصف:THYRISTOR 600V 0.8A TO-92
التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس):800mA
التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس):500mA
التيار - إيقاف الدولة (ماكس):100µA
التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات):8A, 9A
الحالي - عقد (ايه) (ماكس):5mA
الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس):200µA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات