يشترى BTS282Z E3180A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BTS282Z E3180A
- رقم القطعة:
- BTS282Z E3180A
- وصف:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13618 Pieces
- ورقة البيانات:
- BTS282Z E3180A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BTS282Z E3180A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BTS282Z E3180A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 240µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220-7-180 |
| سلسلة: | TEMPFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| اسماء اخرى: | BTS282ZE3180AINDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BTS282Z E3180A |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 232nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Temperature Sensing Diode |
| وصف موسع: | N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO220-7-180 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 49V |
| وصف: | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBTS282Z E3180A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BTS282ZAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | تحقيق |
 |
IRFR9010PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK | تحقيق |
 |
IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | تحقيق |
 |
BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 | تحقيق |
 |
BSC034N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | تحقيق |
 |
SSM3J56MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM | تحقيق |
 |
TPN30008NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON | تحقيق |
 |
MCH3477-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 | تحقيق |
 |
STF13NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP | تحقيق |
 |
BTS282Z E3230 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | تحقيق |
|
BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | تحقيق |
 |
R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog