يشترى BUK7E4R0-80E,127 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | I2PAK |
سلسلة: | TrenchMOS™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 mOhm @ 25A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 349W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
اسماء اخرى: | 568-9854-5 934066516127 BUK7E4R080E127 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | BUK7E4R0-80E,127 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 12030pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 169nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 80V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 80V |
وصف: | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |