يشترى BUK961R4-30E,118 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BUK961R4-30E,118
- رقم القطعة:
- BUK961R4-30E,118
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16874 Pieces
- ورقة البيانات:
- BUK961R4-30E,118.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BUK961R4-30E,118 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BUK961R4-30E,118 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.1V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 mOhm @ 25A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 357W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 568-9568-2 934066491118 BUK961R430E118 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BUK961R4-30E,118 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 16150pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 113nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 120A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUK961R4-30E,118
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK968R3-40E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
|
BUK9611-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
|
BUK962R1-40E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | تحقيق |
|
BUK9610-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
|
BUK96150-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK | تحقيق |
|
BUK9618-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK | تحقيق |
|
BUK961R5-30E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | تحقيق |
|
BUK9609-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
|
BUK9616-55A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK | تحقيق |
|
BUK9623-75A,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK | تحقيق |
|
BUK961R7-40E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | تحقيق |
|
BUK9635-55,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK | تحقيق |
|
BUK9608-55,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK9675-100A/C1J | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog