يشترى BUK9MJT-55PRF,518 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BUK9MJT-55PRF,518
- رقم القطعة:
- BUK9MJT-55PRF,518
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16743 Pieces
- ورقة البيانات:
- BUK9MJT-55PRF,518.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BUK9MJT-55PRF,518 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BUK9MJT-55PRF,518 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-SO |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 13.8 mOhm @ 10A, 10V |
| السلطة - ماكس: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| اسماء اخرى: | 934061029518 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BUK9MJT-55PRF,518 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V Surface Mount 20-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUK9MJT-55PRF,518
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM120VDA57T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | تحقيق |
 |
MCH6662-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 | تحقيق |
 |
UM6K33NTN | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 | تحقيق |
 |
SI6969DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP | تحقيق |
 |
NTLJD4150PTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN | تحقيق |
 |
QJD1210SB1 | Powerex Inc. | MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC | تحقيق |
 |
DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO | تحقيق |
 |
NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET | تحقيق |
 |
SSM6N15AFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 | تحقيق |
|
SI4276DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog