العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > BVSS138LT1G
BVSS138LT1G
BVSS138LT1G
رقم القطعة:
BVSS138LT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15147 Pieces
ورقة البيانات:
BVSS138LT1G.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BVSS138LT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BVSS138LT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BVSS138LT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.5 Ohm @ 200mA, 5V
تبديد الطاقة (ماكس):225mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:BVSS138LT1G-ND
BVSS138LT1GOSTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:36 Weeks
الصانع الجزء رقم:BVSS138LT1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:50pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):50V
وصف:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBVSS138LT1G

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE تحقيق
IXTH110N25T Image IXTH110N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 تحقيق
IRFS17N20DTRR Image IRFS17N20DTRR Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK تحقيق
BSC016N03MSGATMA1 Image BSC016N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 تحقيق
IXTV120N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220 تحقيق
NVD4813NHT4G Image NVD4813NHT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 40A DPAK تحقيق
BVSS123LT1G Image BVSS123LT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 تحقيق
NTB90N02G Image NTB90N02G ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK تحقيق
SI4888DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC تحقيق
IRFBF20STRL Image IRFBF20STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK تحقيق
CSD16403Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON تحقيق
DMTH4004SPS-13 Image DMTH4004SPS-13 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 تحقيق
STP185N10F3 Image STP185N10F3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 120A TO220 تحقيق
AOI423 Image AOI423 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 15A تحقيق
STH320N4F6-2 Image STH320N4F6-2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2 تحقيق
RSR030N06TL Image RSR030N06TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 تحقيق
STL100NH3LL Image STL100NH3LL STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5 تحقيق
SUP50N10-21P-GE3 Image SUP50N10-21P-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB تحقيق
SI8407DB-T2-E1 Image SI8407DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP تحقيق
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 5A VS6 تحقيق

Latest الأخبار