يشترى C3M0120090D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
C3M0120090D
- رقم القطعة:
- C3M0120090D
- الصانع:
- Cree
- وصف:
- 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16037 Pieces
- ورقة البيانات:
- C3M0120090D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل C3M0120090D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك C3M0120090D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 3mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | +18V, -8V |
| تكنولوجيا: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | C3M™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 97W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | C3M0120090D |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 350pF @ 600V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17.3nC @ 15V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 900V 23A (Tc) 97W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 15V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف: | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لC3M0120090D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
C3M0120090J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 22A | تحقيق |
|
C3M0120090J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 22A | تحقيق |
 |
C3M0120100J | Cree/Wolfspeed | 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | تحقيق |
 |
C3M0120100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | تحقيق |
 |
CSD17304Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 56A 8SON | تحقيق |
 |
NTS2101PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog