C4D08120E-TR
C4D08120E-TR
رقم القطعة:
C4D08120E-TR
الصانع:
Cree
وصف:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 24.5A TO252
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16438 Pieces
ورقة البيانات:
C4D08120E-TR.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل C4D08120E-TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك C4D08120E-TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى C4D08120E-TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.8V @ 8A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):1200V (1.2kV)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252-2
سرعة:No Recovery Time > 500mA (Io)
سلسلة:Z-Rec®
عكس وقت الاسترداد (TRR):0ns
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-55°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:5 Weeks
الصانع الجزء رقم:C4D08120E-TR
وصف موسع:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 24.5A Surface Mount TO-252-2
نوع الصمام الثنائي:Silicon Carbide Schottky
وصف:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 24.5A TO252
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:250µA @ 1200V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):24.5A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:560pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات