يشترى C4D10120E مع BYCHPS
شراء مع ضمان
C4D10120E
- رقم القطعة:
- C4D10120E
- الصانع:
- Cree
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18474 Pieces
- ورقة البيانات:
- C4D10120E.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل C4D10120E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك C4D10120E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 10A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252-2 |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | Z-Rec® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | C4D10120E |
| وصف موسع: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Surface Mount TO-252-2 |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 250µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 10A (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 754pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لC4D10120E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
C4D10120A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | تحقيق |
 |
6A4 | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 400V 6A R6 | تحقيق |
 |
VS-20MQ100HM3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC | تحقيق |
 |
C4D10120D | Cree/Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | تحقيق |
 |
ESH2PCHE3/84A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA | تحقيق |
 |
C4D10120E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 | تحقيق |
 |
1N2137AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5 | تحقيق |
 |
1N4002-E3/53 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | تحقيق |
 |
UGB8GTHE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | تحقيق |
 |
1N4148TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | تحقيق |
 |
FESE8FT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog