يشترى CGHV40030F مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CGHV40030F
- رقم القطعة:
- CGHV40030F
- الصانع:
- Cree
- وصف:
- FET RF 125V 6GHZ 440166
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19998 Pieces
- ورقة البيانات:
- CGHV40030F.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CGHV40030F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CGHV40030F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 125V |
| نوع الترانزستور: | HEMT |
| تجار الأجهزة حزمة: | 440166 |
| سلسلة: | GaN |
| مخرج قوي: | 30W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 440166 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CGHV40030F |
| ربح: | 16dB |
| تردد: | 0Hz ~ 6GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HEMT 50V 150mA 0Hz ~ 6GHz 16dB 30W 440166 |
| وصف: | FET RF 125V 6GHZ 440166 |
| التصويت الحالي: | 4.2A |
| الحالي - اختبار: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCGHV40030F
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT20P140-4WNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4 | تحقيق |
 |
J310RLRPG | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA TO92 | تحقيق |
 |
CGHV40050F | Cree/Wolfspeed | FET RF 150V 4GHZ 440193 | تحقيق |
 |
CGHV40100F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 3GHZ 440193 | تحقيق |
 |
BLC9G20XS-400AVT | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT12587 | تحقيق |
 |
CGHV40320D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V DIE | تحقيق |
 |
PTFA071701EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 170W H36248-2 | تحقيق |
 |
PD85015STR-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
CGHV40100P | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 4GHZ 440206 | تحقيق |
 |
MRF8P20100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 | تحقيق |
 |
SD3932 | STMicroelectronics | IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 | تحقيق |
 |
BLP05H6150XRY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog