العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > CGHV96100F2
CGHV96100F2
CGHV96100F2
رقم القطعة:
CGHV96100F2
الصانع:
Cree
وصف:
FET RF 100V 9.6GHZ 440210
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19541 Pieces
ورقة البيانات:
CGHV96100F2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CGHV96100F2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CGHV96100F2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى CGHV96100F2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:40V
الجهد - تقييمه:100V
نوع الترانزستور:HEMT
تجار الأجهزة حزمة:440210
سلسلة:GaN
مخرج قوي:131W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:440210
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:CGHV96100F2
ربح:10.2dB
تردد:7.9GHz ~ 9.6GHz
وصف موسع:RF Mosfet HEMT 40V 1A 7.9GHz ~ 9.6GHz 10.2dB 131W 440210
وصف:FET RF 100V 9.6GHZ 440210
التصويت الحالي:12A
الحالي - اختبار:1A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لCGHV96100F2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MRF8S8260HR3 Image MRF8S8260HR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 895MHZ NI880 تحقيق
CGHV96050F2 Image CGHV96050F2 Cree/Wolfspeed FET RF 100V 9.6GHZ 440210 تحقيق
BF556C,215 Image BF556C,215 NXP USA Inc. JFET N-CH 30V 18MA SOT23 تحقيق
CGHV96050F1 Image CGHV96050F1 Cree/Wolfspeed FET RF 100V 9.6GHZ 440210 تحقيق
BLF8G22LS-240J Image BLF8G22LS-240J Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B تحقيق
3SK263-5-TG-E Image 3SK263-5-TG-E ON Semiconductor FET RF 15V 200MHZ CP4 تحقيق
PTFA091201FV4XWSA1 Image PTFA091201FV4XWSA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 تحقيق
3135GN-100M Microsemi Corporation TRANSISTOR GAN 55-QP تحقيق
SPF-3143 Image SPF-3143 RFMD IC TRANS PHEMT 10GHZ SOT-343 تحقيق
MRF6S24140HSR3 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.39GHZ NI-88OS تحقيق
BLF6G27-75,112 Image BLF6G27-75,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT502A تحقيق
BLF7G22LS-200,118 Image BLF7G22LS-200,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B تحقيق
NE34018-T1-64-A Image NE34018-T1-64-A CEL FET RF 4V 2GHZ SOT-343 تحقيق
ARF460BG Image ARF460BG Microsemi Corporation FET RF N-CH 500V 14A TO247 تحقيق
BLF8G09LS-270GWQ Image BLF8G09LS-270GWQ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C تحقيق

Latest الأخبار