يشترى CSD19531KCS مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CSD19531KCS
- رقم القطعة:
- CSD19531KCS
- الصانع:
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14351 Pieces
- ورقة البيانات:
- CSD19531KCS.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CSD19531KCS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CSD19531KCS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220-3 |
| سلسلة: | NexFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.7 mOhm @ 60A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 214W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | 296-37480-5 CSD19531KCS-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CSD19531KCS |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3870pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 38nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 6V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCSD19531KCS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
|
CSD19532KTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 | تحقيق |
|
CSD19536KTTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 | تحقيق |
|
CSD19531Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | تحقيق |
|
CSD19535KTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 | تحقيق |
|
CSD19535KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V TO-220 | تحقيق |
|
CSD19534Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50 8SON | تحقيق |
|
CSD19531Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | تحقيق |
|
CSD19537Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | تحقيق |
|
CSD19536KTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 | تحقيق |
|
CSD19538Q2T | Texas Instruments | MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON | تحقيق |
|
CSD19537Q3T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | تحقيق |
|
CSD19534Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50 8SON | تحقيق |
|
CSD19532Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | تحقيق |
|
CSD19535KTTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 | تحقيق |
|
CSD19538Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP | تحقيق |
|
CSD19534KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 | تحقيق |
|
CSD19536KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V TO-220 | تحقيق |
|
CSD19533Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A VSONP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog