يشترى CSD22202W15 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CSD22202W15
- رقم القطعة:
- CSD22202W15
- الصانع:
- وصف:
- MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15438 Pieces
- ورقة البيانات:
- CSD22202W15.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CSD22202W15 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CSD22202W15 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | -6V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 9-DSBGA |
| سلسلة: | NexFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12.2 mOhm @ 2A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.5W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 9-UFBGA, DSBGA |
| اسماء اخرى: | 296-39999-2 CSD22202W15-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CSD22202W15 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1390pF @ 4V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.4nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 8V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 8V |
| وصف: | MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCSD22202W15
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
|
CSD22204W | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 5A | تحقيق |
 |
STF16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP | تحقيق |
|
CSD22204WT | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 9DSBGA | تحقيق |
 |
AUIRL3705Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 86A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXTA120N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 120A TO-263 | تحقيق |
 |
BSO033N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO | تحقيق |
 |
FQI5N30TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK | تحقيق |
 |
DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | تحقيق |
 |
IRFP048PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC | تحقيق |
 |
AO3435 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23 | تحقيق |
 |
IXFP20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A TO220 | تحقيق |
 |
DMP2540UCB9-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V 4A UWLB1515-9 | تحقيق |
 |
APT51M50J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | تحقيق |
 |
MCH3476-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 | تحقيق |
|
STSJ25NF3LL | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 25A 8-PWRSOIC | تحقيق |
 |
FDB6021P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers