يشترى CSD23202W10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CSD23202W10
- رقم القطعة:
- CSD23202W10
- الصانع:
- وصف:
- MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14679 Pieces
- ورقة البيانات:
- CSD23202W10.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CSD23202W10 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CSD23202W10 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 900mV @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | -6V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-DSBGA (1x1) |
| سلسلة: | NexFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 53 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-UFBGA, DSBGA |
| اسماء اخرى: | 296-40000-2 CSD23202W10-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CSD23202W10 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 512pF @ 6V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.8nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 12V |
| وصف: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCSD23202W10
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
|
CSD23285F5T | Texas Instruments | 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | تحقيق |
|
CSD23203WT | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | تحقيق |
|
CSD23202W10T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | تحقيق |
|
CSD23203W | Texas Instruments | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | تحقيق |
|
CSD23201W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | تحقيق |
|
CSD23280F3 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR | تحقيق |
|
CSD23285F5 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V | تحقيق |
|
CSD23382F4T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR | تحقيق |
|
CSD23280F3T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR | تحقيق |
|
CSD23381F4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog