CXDM3069N TR
CXDM3069N TR
رقم القطعة:
CXDM3069N TR
الصانع:
Central Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15112 Pieces
ورقة البيانات:
CXDM3069N TR.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CXDM3069N TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CXDM3069N TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى CXDM3069N TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.4V @ 250µA
فغس (ماكس):12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-89
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:30 mOhm @ 7A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.2W (Ta)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-243AA
اسماء اخرى:CXDM3069N DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:6 Weeks
الصانع الجزء رقم:CXDM3069N TR
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:580pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:11nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 6.9A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6.9A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات