DB103-G - Comchip Technology - الثنائيات الصمامات الجسر DB103-G

DB103-G

رقم القطعة:: DB103-G

الصانع:: Comchip Technology

وصف:: RECTIFIER BRIDGE 1A 200V DB

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19689 Pieces

ورقة البيانات:: DB103-G.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DB103-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DB103-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى DB103-G مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - قمة عكسي (ماكس):	200V
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:	1.1V @ 1A
تكنولوجيا:	Standard
تجار الأجهزة حزمة:	DB
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	4-EDIP (0.321", 8.15mm)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	DB103-G
وصف موسع:	Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DB
نوع الصمام الثنائي:	Single Phase
وصف:	RECTIFIER BRIDGE 1A 200V DB
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:	10µA @ 200V
الحالي - متوسط مصحح (أيو):	1A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لDB103-G

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
GBU6M-M3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT GPP 6A 1000V GBU	تحقيق
SBMA6F	Semtech Corporation	BRIDGE RECT 1.5A 600V	تحقيق
PBPC605	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE 4A 600V PBPC6	تحقيق
SC3BK6	Semtech Corporation	BRIDGE RECT 13A 600V	تحقيق
DB103S-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 1A 200V DBS	تحقيق
GBU4K	Fairchild/ON Semiconductor	RECT BRIDGE GPP 4A 800V GBU	تحقيق
GBPC1508W-E4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE 1PH 15A 800V GBPC-W	تحقيق
VBO65-08NO7	IXYS	DIODE BRIDGE 800V 65A FO-T-A	تحقيق
KBP10M-BP	Micro Commercial Co	DIODE BRIDGE 2A 1000V KBPR	تحقيق
G3SBA80-M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE 1PH 4A 800V	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار