DB156G - GeneSiC Semiconductor - الثنائيات الصمامات الجسر DB156G - BYCHIPS

DB156G

رقم القطعة:: DB156G

الصانع:: GeneSiC Semiconductor

وصف:: DIODE BRIDGE 800V 1.5A DB

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 12148 Pieces

ورقة البيانات:: 1.DB156G.pdf 2.DB156G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DB156G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DB156G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى DB156G مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - قمة عكسي (ماكس):	800V
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:	1.1V @ 1.5A
تكنولوجيا:	Standard
تجار الأجهزة حزمة:	DB
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	4-EDIP (0.321", 8.15mm)
اسماء اخرى:	DB156GGN
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	4 Weeks
الصانع الجزء رقم:	DB156G
وصف موسع:	Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole DB
نوع الصمام الثنائي:	Single Phase
وصف:	DIODE BRIDGE 800V 1.5A DB
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:	5µA @ 800V
الحالي - متوسط مصحح (أيو):	1.5A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لDB156G

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	DB104S-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 1A 400V DBS	تحقيق
	3KBP005M-M4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 3A 50V KBPM	تحقيق
	DF1504S	Diodes Incorporated	RECTIFIER BRIDGE 400V 1.5A DF-S	تحقيق
	B483B-2T	Crydom Co.	MOD DIODE PWR 35A 120VAC PNL MNT	تحقيق
	TB6S-G	Comchip Technology	DIODE BRIDGE GPP 0.8A 600V TBS	تحقيق
	GBPC2504W	Fairchild/ON Semiconductor	RECT BRIDGE GPP 25A 400V GBPC-W	تحقيق
	GBL01-M3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 4A GPP 100V GBL	تحقيق
	130MT160KB	Vishay Semiconductor Diodes Division	IC BRIDGE 3PH 1600V 130A MTK	تحقيق
	VS-KBPC801PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MOD BRIDGE 1PH 8A D-72	تحقيق
	BU1008-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU	تحقيق

Latest الأخبار