يشترى DF10M مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DF10M
- رقم القطعة:
- DF10M
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF-M
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15117 Pieces
- ورقة البيانات:
- DF10M.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DF10M ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DF10M عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1000V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 1A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFM |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | DF10MDI |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DF10M |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole DFM |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF-M |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 1000V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDF10M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VUO120-12NO1 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 1200V V2-PACK | تحقيق |
 |
FUO50-16N | IXYS | RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5 | تحقيق |
 |
KBL410-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 4A 1000V KBL | تحقيق |
 |
RS406L-BP | Micro Commercial Co | RECTIFIER BRIDGE 4A 800V RS-4L | تحقيق |
 |
GBU8J-BP | Micro Commercial Co | RECT BRIDGE GPP 8A 600V GBU | تحقيق |
 |
GSIB2580-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 25A 800V GSIB-5S | تحقيق |
 |
GBPC2510-BP | Micro Commercial Co | BRIDGE RECT 25A 1KV GBPC | تحقيق |
 |
CDBHD160L-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 1A 60V TO-269AA | تحقيق |
 |
VUO82-16NO7 | IXYS | 3-PHASE RECTIFIER BRIDGE | تحقيق |
 |
MB108-BP | Micro Commercial Co | RECTIFIER BRIDGE 10A 800V BR-6 | تحقيق |
 |
VUO160-12NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 1200V PWS-E-1 | تحقيق |
|
GSIB2520-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 25A 200V GSIB-5S | تحقيق |
 |
KBL401G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 4A KBL | تحقيق |
 |
DF10S-T | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 1A 1000V DFS | تحقيق |
 |
DF15005ST-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 1.5A 50V DFS | تحقيق |
 |
W02M | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 1.5A WOM | تحقيق |
|
DF10S | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE SMD 1000V 1A 4P DF-S | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog