يشترى DGD2104AS8-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DGD2104AS8-13
- رقم القطعة:
- DGD2104AS8-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17149 Pieces
- ورقة البيانات:
- DGD2104AS8-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DGD2104AS8-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DGD2104AS8-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - توريد: | 10 V ~ 20 V |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 100ns, 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | DGD2104AS8-13DITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | DGD2104AS8-13 |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 2.5V |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد): | 600V |
| نوع البوابة: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| وصف موسع: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO |
| تكوين مدفوعة: | Half-Bridge |
| وصف: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 210mA, 360mA |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Synchronous |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDGD2104AS8-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DGD2103S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | تحقيق |
 |
DGD21032S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DVR HV 8SOIC | تحقيق |
|
DGD21042S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DVR HV 8SOIC | تحقيق |
|
DGD2113S16-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO | تحقيق |
|
DGD2101S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | تحقيق |
|
DGD2106S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | تحقيق |
|
DGD2104MS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HV SO8 | تحقيق |
|
DGD2103AS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | تحقيق |
|
DGD2104S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | تحقيق |
|
DGD2103MS8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HV SO8 | تحقيق |
|
DGD21814S14-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO | تحقيق |
|
DGD2108S8-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO | تحقيق |
|
DGD21084S14-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO | تحقيق |
|
DGD21064S14-13 | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog