DGD2104AS8-13
DGD2104AS8-13
رقم القطعة:
DGD2104AS8-13
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17149 Pieces
ورقة البيانات:
DGD2104AS8-13.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DGD2104AS8-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DGD2104AS8-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DGD2104AS8-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد:10 V ~ 20 V
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:-
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع):100ns, 50ns
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:DGD2104AS8-13DITR
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تردد الإدخال:2
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:DGD2104AS8-13
المنطق الجهد - فيل، فيه:0.8V, 2.5V
نوع المدخلات:Non-Inverting
عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد):600V
نوع البوابة:IGBT, N-Channel MOSFET
وصف موسع:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
تكوين مدفوعة:Half-Bridge
وصف:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة):210mA, 360mA
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس):Synchronous
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات