العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات--واحد > DHG10I1800PA
DHG10I1800PA
DHG10I1800PA
رقم القطعة:
DHG10I1800PA
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17615 Pieces
ورقة البيانات:
DHG10I1800PA.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DHG10I1800PA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DHG10I1800PA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DHG10I1800PA مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:2.23V @ 10A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):1800V (1.8kV)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AC
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):300ns
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-2
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-55°C ~ 150°C
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:DHG10I1800PA
وصف موسع:Diode Standard 1800V (1.8kV) 10A Through Hole TO-220AC
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:50µA @ 1800V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):10A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:3pF @ 900V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لDHG10I1800PA

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
GI817-E3/54 Image GI817-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC تحقيق
DHG10I600PA Image DHG10I600PA IXYS DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC تحقيق
LS4150GS18 Image LS4150GS18 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80 تحقيق
A397N Powerex Inc. DIODE GEN PURP 800V 400A DO200AA تحقيق
GP02-30-M3/54 Image GP02-30-M3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 3KV 250MA DO204 تحقيق
UG1B-E3/73 Image UG1B-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL تحقيق
DHG10I1200PA Image DHG10I1200PA IXYS DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC تحقيق
DHG10C600PB Image DHG10C600PB IXYS DIODE ARRAY GP 600V 5A TO220AB تحقيق
DHG10I1200PM Image DHG10I1200PM IXYS DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP تحقيق
DHG100X1200NA Image DHG100X1200NA IXYS DIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227B تحقيق
JANTX1N5619US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1A D5A تحقيق
UG4B-E3/54 Image UG4B-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD تحقيق
DHG100X600NA Image DHG100X600NA IXYS DIODE MODULE 600V 100A SOT227B تحقيق
DHG10I600PM IXYS DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP تحقيق
BAT86,113 Image BAT86,113 Nexperia USA Inc. DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO34 تحقيق
PMEG6010EP,115 Image PMEG6010EP,115 Nexperia USA Inc. DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD128 تحقيق
8EWF02STR Image 8EWF02STR Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK تحقيق
UD1006FR-H Image UD1006FR-H ON Semiconductor DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 تحقيق

Latest الأخبار