يشترى DMG2302UK-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMG2302UK-13
- رقم القطعة:
- DMG2302UK-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET NCH 20V 2.8A SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12004 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMG2302UK-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMG2302UK-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMG2302UK-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 660mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMG2302UK-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 130pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 2.8A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET NCH 20V 2.8A SOT23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG2302UK-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG2305UX-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 | تحقيق |
|
DMG2302UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | تحقيق |
 |
DMG2301LK-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 20V 2.4A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2301L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2301L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2305UXQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2305UX-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2302UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2305UXQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2301LK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23 | تحقيق |
|
DMG2301U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog