يشترى DMG3415UFY4Q-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMG3415UFY4Q-7
- رقم القطعة:
- DMG3415UFY4Q-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18561 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMG3415UFY4Q-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMG3415UFY4Q-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMG3415UFY4Q-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | X2-DFN2015-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 39 mOhm @ 4A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 650mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 3-XFDFN |
| اسماء اخرى: | DMG3415UFY4Q-7DITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMG3415UFY4Q-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 282pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 16V 2.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2015-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 16V |
| وصف: | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG3415UFY4Q-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG3418L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | تحقيق |
|
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | تحقيق |
|
DMG3415U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | تحقيق |
|
DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | تحقيق |
 |
DMG3415UFY4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 | تحقيق |
|
DMG3401LSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3A SC59 | تحقيق |
|
DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | تحقيق |
|
DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | تحقيق |
|
DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 | تحقيق |
|
DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4A SC59 | تحقيق |
|
DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | تحقيق |
|
DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog