يشترى DMG6602SVTQ-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMG6602SVTQ-7
- رقم القطعة:
- DMG6602SVTQ-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19175 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMG6602SVTQ-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMG6602SVTQ-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMG6602SVTQ-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | TSOT-26 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 840mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | DMG6602SVTQ-7DITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMG6602SVTQ-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 400pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 13nC @ 10V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.4A, 2.8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG6602SVTQ-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1563DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | تحقيق |
 |
DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT | تحقيق |
|
DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | تحقيق |
 |
MTM684100LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8 | تحقيق |
 |
SI7252DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO | تحقيق |
 |
BSO350N03 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO | تحقيق |
|
DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 | تحقيق |
 |
AO6808_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP | تحقيق |
 |
ALD310700ASCL | Advanced Linear Devices Inc. | QUAD P-CHANNEL EPAD MATCHED PAIR | تحقيق |
 |
IRFI4024H-117P | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5 | تحقيق |
 |
IRF7751GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP | تحقيق |
 |
DMN62D0UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog