يشترى DMG7401SFGQ-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMG7401SFGQ-7
- رقم القطعة:
- DMG7401SFGQ-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15027 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMG7401SFGQ-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMG7401SFGQ-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMG7401SFGQ-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerDI3333-8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11 mOhm @ 12A, 20V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 940mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerWDFN |
| اسماء اخرى: | DMG7401SFGQ-7DI |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMG7401SFGQ-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2987pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 58nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 9.8A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG7401SFGQ-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | تحقيق |
|
DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 | تحقيق |
|
DMG7401SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | تحقيق |
|
DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI | تحقيق |
 |
STL24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT | تحقيق |
 |
IRFP450APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC | تحقيق |
 |
STD50NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 50A DPAK | تحقيق |
 |
IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO-247 | تحقيق |
 |
STP5NK52ZD | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220 | تحقيق |
 |
SIHA22N60AE-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO220 | تحقيق |
 |
IPI80N06S208AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog