DMN100-7-F
DMN100-7-F
رقم القطعة:
DMN100-7-F
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16519 Pieces
ورقة البيانات:
DMN100-7-F.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN100-7-F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN100-7-F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DMN100-7-F مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SC-59-3
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:240 mOhm @ 1A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):500mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:DMN100-FDITR
DMN1007F
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMN100-7-F
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:150pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:5.5nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات