DMN10H170SFDE-13
DMN10H170SFDE-13
رقم القطعة:
DMN10H170SFDE-13
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13189 Pieces
ورقة البيانات:
DMN10H170SFDE-13.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN10H170SFDE-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN10H170SFDE-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DMN10H170SFDE-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:U-DFN2020-6 (Type E)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:160 mOhm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):660mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-UDFN Exposed Pad
اسماء اخرى:DMN10H170SFDE-13DI
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMN10H170SFDE-13
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1167pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:9.7nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.9A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات