يشترى DMN10H220LVT-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN10H220LVT-13
- رقم القطعة:
- DMN10H220LVT-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17011 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN10H220LVT-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN10H220LVT-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN10H220LVT-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TSOT-26 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 220 mOhm @ 1.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.67W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | DMN10H220LVT-13DI |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN10H220LVT-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 401pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 1.87A (Ta) 1.67W (Ta) Surface Mount TSOT-26 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.87A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN10H220LVT-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H220LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 | تحقيق |
 |
DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23 | تحقيق |
 |
DMN1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN | تحقيق |
|
DMN10H220L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 | تحقيق |
 |
DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 | تحقيق |
 |
DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | تحقيق |
|
DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | تحقيق |
|
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | تحقيق |
 |
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | تحقيق |
|
DMN1019UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | تحقيق |
|
DMN10H099SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog