DMN1150UFB-7B
DMN1150UFB-7B
رقم القطعة:
DMN1150UFB-7B
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18959 Pieces
ورقة البيانات:
DMN1150UFB-7B.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN1150UFB-7B ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN1150UFB-7B عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DMN1150UFB-7B مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
فغس (ماكس):±6V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:3-DFN1006 (1.0x0.6)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:150 mOhm @ 1A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):500mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:3-UFDFN
اسماء اخرى:DMN1150UFB-7BDITR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMN1150UFB-7B
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:106pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1.5nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 12V 1.41A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):12V
وصف:MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.41A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات